HBM专题报告：HBM需求增长强劲 新技术带来设备、材料端升级

　　投资要点：　　存力已成AI 芯片性能升级核心瓶颈，AI 推动HBM 需求强劲增长。英伟达发布最新AI 芯片H200，内存配置明显提升，存储技术提升为AI 性能提升的关键。HBM 作为基于3D 堆栈工艺的高性能DRAM，打破内存带宽及功耗瓶颈，GPU 性能提升推动HBM 技术不断升级。算力驱动AI 服务器出货量迅猛增长，叠加GPU 搭载HBM 数量提升和HBM 容量与价值增长，全球HBM 市场规模有望从2023 年的15 亿美元增至2030 年的576 亿美元，对应2023-2030 的年复合增长率达68.3%。　　HBM 量价齐升趋势已现，三大原厂积极扩产。龙头厂商海力士透露明年扩产2 倍，公司采用最先进10nm 技术扩大2024 年产量，其中大部分增量由HBM3e 填充，预计2030 年HBM 出货量有望达到每年1 亿颗。三星、美光紧随其后，同样宣布大规模扩产。新技术HBM3e、HBM4 等陆续推出，行业量价齐升。　　TSV 为HBM 核心工艺，新技术带来设备、材料端升级。TSV 技术主要涉及深孔刻蚀、沉积、减薄抛光等关键工艺，多层堆叠结构提升工序步骤，带动量检测、键合等设备需求持续提升。HBM 芯片间隙采用GMC 或LMC填充，带动主要原材料low-α球硅和low-α球铝需求增长，同时电镀液、电子粘合剂、封装基板、压敏胶带等材料需求也将增加。　　投资建议：重点关注HBM 产业链。材料端：神工股份、联瑞新材、华海诚科、雅克科技；设备端：赛腾股份、中微公司；封测端：通富微电、长电科技；经销商：香农芯创。　　风险提示：AIGC 发展不及预期；AI 服务器出货量不及预期；HBM 技术发展不及预期；设备和材料的国产替代不及预期。 【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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